Новости Новости
Поиск в новостях:  
 
MDmesh K5 – Новые 900V MOSFET от STMicroelectronics   Дата: 26 Январь 2018 г.
Кратко:

Компания STMicroelectronics расширила линейку силовых MOSFET транзисторов семейства K5, представив новую 900 В версию



Содержание:

Благодаря использованию 900 В транзисторов  MDmeshTM K5 может быть обеспечена повышенная надежность сетевого преобразователя мощности по сравнению, например, с 650 – 800 В MOSFET.

Новые транзисторы обладают самым низким показателем Rds (on) среди аналогов в корпусах TO-247 (99 мОм) и DPAK (810 мОм). В то же время, удалось снизить заряд затвора транзисторов, что позволяет добиться большего КПД и работать на более высоких частотах коммутации.

 

Сравнение Rdson транзистора ST c лучшим из конкурентов (корпус TO-220)

 

В новых MOSFET значительно уменьшена входная и выходная емкость, что позволяет использовать устройства в схемах с коммутацией в нуле напряжения ZVS (Zero voltage switching). Другой особенностью серии является высокий уровень порогового напряжения включения транзистора, вследствие чего снижается уровень электромагнитных помех системы. Высокая стойкость к лавинному пробою новых MOSFET K5 является немаловажным фатором при испытаниях на устойчивость к микросекундным импульсным помехам конечных устройств.

MOSFET MDmesh K5 представлены в широкой номенклатуре корпусов с сопротивлением канала от 99 мОм до 2.1 Ом.

Основные преимущества транзисторов MDmesh K5

  • Низкие значения Rds (on) при высоком напряжении сток-исток;
  • Возможность работы на высоких частотах коммутации;
  • Стойкость к лавинному пробою;
  • ESD защита затвора;
  • Широкая номенклатура приборов в различных корпусах.


Статистика:
Просмотров:246
Комментарии: 0
Написать отзыв Продолжить
Поиск

Введите слово для поиска. Расширенный поиск

Производители

Рекомендуемые

Производители